DDR2内存的时序具体是什么?比如4-4-4-15,5-5-5等等

内存时序分别对应的参数是“CL-tRCD-tRP-tRAS”，具体为：

CAS(Column Address Strobe) Latency：列地址选通脉冲延迟时间，即SDRAM内存接收到一条数据读取指令后要延迟多少个时钟周期才执行该指令。这个参数越小，内存的反应速度越快，可以设置为2.0、2.5、3.0。我们一般简称其为CL值。

RAS-to-CAS delay（tRCD）：从内存行地址转到列地址的延迟时间。即从SDRAM行地址选通脉冲(RAS，Row Address Strobe)信号转到列地址选通脉冲信号之间的延迟周期，也是从1～15可调节，越小越快。

Row-precharge delay（tRP）：内存行地址选通脉冲信号预充电时间。调节在刷新SDRAM之前，行地址选通脉冲信号预充电所需要的时钟周期，从1～7可调，越小越快。

Row-active delay（tRAS）：内存行地址选通延迟时间，供选择的数值有1～15，数值越小越快。

内存时序越低，内存的性能也就越好!