什么叫CCD势阱?和CCD的电荷转移过程.

CCD势阱:当MOS电容器栅压大于开启电压Uth时,由于表面势升高,如果周围存在电子,并迅速地聚集到电极下的半导体表面处,由于电子在那里的势能较低,所以可以形象地说,半导体表面形成了对于电子的势阱。
CCD的电荷转移过程:使MOS电容阵列的排列足够紧密,以致相邻MOS电容的势阱相互沟通。当加在MOS电容上的电压越高,且在MOS阵列上所加的各路电压脉冲即时钟脉冲,必须严格满足相位要求,根据产生的势阱越深的原理,通过控制相邻MOS电容栅极电压的高低调节势阱的深浅,使信号电荷由势阱浅处流向势阱深处。