萘环上α位电子云密度比β位高为什么α位化学位移大于β位

化学位移（chemical shift）
由于有机分子中各种质子受到不同程度的屏蔽效应，因此在核磁共振谱的不同位置上出现吸收峰。但这种屏蔽效应所造成的差异是非常小的，难以精确的测出其绝对值，因此需要一个参照物（reference compound）来做对比，常用四甲基硅烷（CH4）Si（tetramethylsilane，简写为TMS）作为标准物质，并人为将其吸收峰出现的位置定为零。某一物质吸收峰的位置与标准质子吸收峰位置之间的差异称为该物质的化学位移（chemical shift），常以δ表示：
化学位移（δ）=【υ样品—υTMS / υ0（核磁共振仪所用频率）】*1000000
式中，υ样品为样品吸收峰的频率，υTMS为四甲基硅烷吸收峰的频率。由于所得的数据很小，一般只有百万分之几，故乘以1000000。
在各种有机物分子中，与同一类基团相连的质子，它们都有大致相同的化学位移。

电子云密度，去看失去质子以后得负离子得共振式，共振式当中alfa位得相当稳定

至于为什么化学位移
一般低场得都是极性更大的，所以自然alfa位的化学位移更大

化学位移大的在低场，这个知道吧