什么是电荷层

电荷层是指p型与n型半导体接触或金属与半导体接触后形成“结”的过程中在接触面两侧分别构成的正、负电荷空间薄层。
空间电荷效应：半导体中的空间电荷及其相应的空间电荷效应是一个重要的基本概念。在半导体材料和器件中往往会遇到有关的问题，特别是在大电流时空间电荷可能起着决定性的作用。

在半导体衬底的表面生长或淀积一层绝缘薄膜，其上再覆盖一定面积的(如直径为几百微米到 1毫米的圆)导电层，便形成金属-绝缘体-半导体结构，其中最典型的是金属-氧化物-半导体结构
MOS结构是 1959年作为一种半导体可变电容器提出来的，后成为研究半导体与绝缘膜的界面、半导体表面层和绝缘膜中电子行为的一种重要结构。在此结构的基础上，已研制出多种器件，其中最重要的是 MOS场效应晶体管，它是MOS大规模集成电路的基础(见晶体三极管、金属-氧化物-半导体集成电路)。
基本原理 与金属的情况不同，半导体的载流子密度较低，外电场可伸入半导体表面一定深度。根据电场方向的不同，可吸引体内多数载流子到半导体表面层，使表面多数载流子密度增高，形成表面积累层；也可排斥多数载流子，形成载流子的表面耗尽层。在后一种情况，当落在半导体表面层内的电压降足够大时，则在加上外电场的瞬间，耗尽层很深，称为深耗尽。随后，由於热产生的少数载流子被电场吸引到表面层，在表面累积而屏蔽电场，一方面使耗尽层厚度逐渐减小，一方面在表面形成与体内导电类型不同的表面反型层。在 MOS结构中，通过在金属层与半导体衬底之间加上极性和大小不同的电压，便能使半导体表面发生从累积到耗尽、到反型的连续性变化。
应用 利用MOS电容高频 ()测试可以测定半导体表面层杂质浓度及其分布，氧化层电荷的密度及其运动规律和界面态密度；准静态()测试是研究界面电子态的一种较准确的方法；MOS电容 ()测试对於研究界面态和氧化层中的电荷行为也很有效；MOS电容 ()研究则可给出半导体表层和界面态的少数载流子产生复合的有关参数。MOS电容是电荷耦合器件的基本单元，后者有广泛的用途。利用MOS电容 ()对光辐照敏感的原理已制成灵敏度很高的红外探测器。MOS场效应晶体管除用在MOS集成电路外，作为分立元件，在微波大功率应用中也很有特点。利用这种场效应器件结构，通过选用相应的栅电极，已制造出包括对一些