铪基高K(high k)栅极是什么？？

转的，希望有帮助~
原来的栅极绝缘膜使用的是SiO2，随着绝缘膜厚度的减小，就会失去作为物理绝缘膜的功能。即使晶体管处于非接通状态，栅极和Si基区间总会有电流（栅极漏电电流）通过，增加了耗电量。

目前倍受注目的防漏电电流的材料就是高介电常数绝缘膜（high-k）材料。通过使用比SiO2介电常数要高的新材料作栅极绝缘膜，可以在确保与SiO2薄膜相同效果的前提下减小栅极绝缘膜的厚度。

新材料的使用可大幅度减小漏电电流、降低耗电量。目前有望用于high-k材料的有Al2O3、HfO2、ZrO2、Zr-Al-Si-O。其中Zr和Hf等金属材料在实用的过程中面临着容易对环境造成污染的问题。

一般情况下，使用high-k材料的栅极电极的为金属栅极，但德克萨斯大学（University of Texas）在“2001 Symposium on VLSI Technology”上发表了Poly-Si栅极与high-k材料搭配的研究成果，引起了较大的轰动。