电磁炉里面的IGBT是什么?哪里有卖的?

绝缘栅双极晶体管(Iusulated Gate Bipolar Transistor)简称IGBT,是一种集BJT的大电流密度和MOSFET等电压激励场控型器件优点于一体的高压、高速大功率器件。
　　目前有用不同材料及工艺制作的IGBT, 但它们均可被看作是一个MOSFET输入跟随一个双极型晶体管放大的复合结构。
　　IGBT有三个电极(见上图), 分别称为栅极G(也叫控制极或门极) 、集电极C(亦称漏极) 及发射极E(也称源极) 。
　　从IGBT的下述特点中可看出, 它克服了功率MOSFET的一个致命缺陷, 就是于高压大电流工作时, 导通电阻大, 器件发热严重, 输出效率下降。
　　IGBT的特点:
　　1.电流密度大, 是MOSFET的数十倍。
　　2.输入阻抗高, 栅驱动功率极小, 驱动电路简单。
　　3.低导通电阻。在给定芯片尺寸和BVceo下, 其导通电阻Rce(on) 不大于MOSFET的Rds(on) 的10%。
　　4.击穿电压高, 安全工作区大, 在瞬态功率较高时不会受损坏。
　　5.开关速度快, 关断时间短,耐压1kV~1.8kV的约1.2us、600V级的约0.2us, 约为GTR的10%,接近于功率MOSFET, 开关频率直达100KHz, 开关损耗仅为GTR的30%。
　　IGBT将场控型器件的优点与GTR的大电流低导通电阻特性集于一体, 是极佳的高速高压半导体功率器件。

　　一般电子元件店有,10元左右

　　IGBT是检测：
　　用万用表二极管档测量IGBT的“E”；“C”；“G”三极间是否击穿。
　　A：“E”极与“G”极；“C”极与“G”极，正反测试均不导通(正常)。
　　B：万用表红笔接”E“极，黑笔接“C”极有0.4V左右的电压降（型号为GT40T101三极全不通）。

俗称功率管，电子市场都有，最好是西门子的6元，其次是仙童的5元，最差的是英飞凌的3元，九阳的用的就是英飞凌的。