谁知道场效应管的预夹断电压的形成?

来源:百度知道 编辑:UC知道 时间:2024/05/21 21:00:38
(n沟道)当Vgs=0,为什么随Vds的增加在漏栅之间的电位差也加
大,产生预夹断电压?(两个背对背的PN结,加宽和减小应该是
成比例的,不应是一端宽,一端窄)。谁能给详解一下!

场效应管工作时,漏极和源极之间有一电压Vds,而栅极和源极之间也有一电压Vgs。

Vds增加时,由电流Id流过,由于沟道存在一定的电阻,因此,Id沿沟道产生的电压降使沟道内各点的电位不再相等,漏极端电位最高,源极端最低。这就使栅极与沟道内各点间的电位差不再相等,其绝对值沿沟道从漏极到源极逐渐减小,在漏极端最大(为|Vgd| ),即加到该处PN结上的反偏电压最大,这使得沟道两侧的耗尽层从源极到漏极逐渐加宽,沟道宽度不再均匀,而呈楔形。

在Vds较小时,它对Id的影响应从两个角度来分析:一方面Vds增加时,沟道的电场强度增大,Id随着增加;另一方面,随着Vds的增加,沟道的不均匀性增大,即沟道电阻增加,Id应该下降,但是由于Vds较小时,沟道的不均匀性不明显,在漏极端的沟道仍然较宽,即Vds对沟道电阻影响不大,故Id随Vds增加而增加。随着Vds的增加,靠近漏极一端的PN结上承受的反向电压增大,这里的耗尽层相应变宽,沟道相应变窄,沟道电阻相应增加,Id随Vds上升的速度趋缓。

当Vds增加到Vds=Vgs-Vp,即Vgd=Vgs -vDS=Vp(夹断电压)时,漏极附近的耗尽层即合拢,沟道宽度为0,这种状态称为预夹断。

在内部的沟道是有电势差的 就是电位不同 然后在增大vds后 靠近d级处
半导体层上部电子会因电势升高而减少 形成的沟道会变窄 当达到与夹断值时上部电子就几乎没有了
而靠近s级处由于电势还较低 所以半导体层上部电子还是很多
整体来说 电子排布是三角形的