紫外－可见漫反射谱和晶体的带隙是如何关联起来的？

来源：百度知道 编辑：UC知道 时间：2024/06/04 19:11:07
各位研究化学及物理的帮帮忙：
实验上测量晶体的带隙，是以晶体的漫反射谱的谱线拐点处延伸至横坐标上，该横坐标就对应晶体的带隙值，不知这是为什么？原理是什么？谢谢了！望不吝赐教！

该横坐标就对应晶体的带隙值

为了区别用电导率法测得的禁带宽度，用光吸收法测得的禁带宽度又叫光学带隙。

本征吸收过程吸收光的能量大于等于带隙的大小。可以通过吸收光的能量求算带隙。
紫外可见分光计的定量基础是朗伯比尔定律：吸光度与厚度呈正比。
对于半导体吸收边和吸收系数呈一定的关系：aE=A(E-Eg)m；两边同时取对数：ln(aE)=lnA+mln(E-Eg)
m的取值和半导体带隙的种类有关；A是常数，所以（aE）1/m与hv作图可以得到吸收边，吸收边延长至aE=0处可以得到光学带隙Eg