RB-IGBT与普通IGBT的区别

RB-IGBT是一种具有反向阻断能力的新型功率半导体器件，其内部取消了传统IGBT 的反并联二极管，正、反向均可承受电压。因此它所构成的双向开关可以省去普通IGBT 所并联的二极管，采用 RB-IGBT 时通态损耗较低。