陶瓷传感器和扩散硅传感器的区别

扩散硅传感器:基本原理是利用半导体的压阻效应和微机械加工技术，在单晶硅片的特定晶向上，用光刻、扩散等半导体工艺制做一惠斯登电桥，形成敏感膜片，当受到外力作用时产生微应变，电阻率发生变化，使桥臂电阻发生变化（一对变大一对变小）在激励电压信号输出，经过计算机温度补偿、激光调阻、信号放大等处理手段和严格的装配检测、标定等工艺，生产出具有标准输出信号的压力变送器.
陶瓷传感器:测量原理
陶瓷传感器是干式传感器，过程压力直接作用在坚固的陶瓷膜片上，基板电极和膜片电极可以检测出与压力相关的电容变化，测量范围取决于陶瓷膜片的厚度。膜片破碎的自诊断功能。保证抗过压能力可达正常压力的40倍 。高纯度99.9%陶瓷，具有与哈氏合金相同的抗化学腐蚀能力。适用于真空场合。第二腔室用于提高机械强度，阻止因传感器损坏导致介质泄漏
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