说明化学气相沉积SiO2，Si3N4 等薄膜的工艺原理与工艺方法

一种是,汽化结晶发,将SiO2升温汽化,可能采用电离办法汽化后,具体没记清楚,也可能使用大功率电极激发,产生粒子流负着在表面

采用PECVD沉积技术,目前最多的是使用"电浆增强型化学气相沉积"技术,即在反应器内,通过电浆的作用,在一定温度下使气体发生反应生成固态的生成物并沉积在晶片表面的一种薄膜沉积技术.
希望可以帮到你.