CMOSFET中如何改善short-channel

1减小drain(漏级)端操作电压
2在源漏级靠近沟道一侧制作LDD(lightly doped drain),也就是相对于源漏区掺杂浓度更低的区域，这样可使耗尽层偏向源漏级，增大沟道有效长度。

有不明白的可以再问我，qq237093052