关于二级缓存的相关问题

AMD近日购买了Z-RAM技术的第二代，Innovative Silicon公司公布了其第二代Z-RAM技术，透露了更多信息。

Z-RAM意为零电容的DRAM，不仅比普通的DRAM密度大的多，甚至还超过了高端CPU的SRAM芯片，考虑到现代CPU中缓存的体积越来越大，该技术将会实现CPU界的巨大革新。

Innovative Silicon称，第一代Z-RAM技术可以将使用SOI的130nm工艺S-RAM密度提到原先的5倍；第二代Z-RAM一般实现于SOI技术的90nm、65nm和45nm芯片上。当分配大容量内存空间时，比常规技术第二代Z-RAM所耗电能明显低很多。

Z-RAM可以在缓存单元存储更多指令，从而缩短CPU读写周期。据Innovative Silicon的数据，Z-RAM可以突破1GHz限制，当使用65nm工艺时，内存每平方毫米可以存储5MB数据；当使用45nm制造工艺时，内存每平方毫米存储容量将超过10MB。如果该技术能够应用到真实CPU的晶片尺寸，它将很容易就可以把二级缓存提升到50-100MB！

Innovative Silicon总裁兼首席执行官Mark-Eric Jones此前声称，Z-RAM已经成为世界上最密缓存存储芯片技术，可以将CPU速度提升2倍以上，缓存读取功耗将降至原先的75%，而缓存写入功耗将降至90%。