求教关于二极管PN结势垒问题

不加电压的情况下,PN两个区域的交界处由于各自的多数载流子性质不同，会向对方进行扩散，从而建立起一个内建电场。

当外加正向电压时，这个电场是阻止电流从P区流向N区的。这就是“势垒”，也叫“阻挡层”。若要电流流过，就必须克服这个内建电场，也叫克服“死区电压”。一般估算时，硅材料该电压为0.65~0.7V；锗材料为0.25~0.3V。

“这也就是说，加电压之前，P-N结的能量高于两侧的P型半导体和N型半导体了？”
应该是这样的：内建电场建立不是无休止的，由于扩散作用，N区这边要少一些电子，而P区那边会少一些空穴，这样在外侧又会有一个电场建立，其方向与内建电场相反。当两个电场平衡时，内建电场的强度就稳定了，扩散不再进行（是一个动态平衡状态），即势垒或称阻挡层就确定了，整个PN结就不会有电流（除非外加电场）。

详细分析请参考：
http://www.cdrtvu.com/exhibite/showpage/filecontent.php?Rule=3&FileDataURL=2925/04/V904_17196.cnt&ResPath=/www/exhibite/resource12/