超大规模集成电路 ic 电阻 电容 电感

VLSI是无法像PCB一样使用宏观元件实现电路的（因为VLSI所有元件是集成在一般硅上的，即全部在硅上进行氧化，光刻，掺杂，最后形成完整电路），而电路功能的实现决定了必须使用电阻、电容和电感（电感我还真不知道怎么在VLSI上实现：） 

这样的话，就必须用VLSI物理版图的不同layer来构成电阻和电容。 

电阻好说，一般就是用很长的多晶硅条来实现（随便给你传个画着玩的VLSI物理版图的一部分，其中红色的就是作为电阻的多晶硅条） 

有时也用恒导通的宽长比（W/L）较小的MOS来实现。 

至于电容，你要了解MOS的栅极和衬底之间本身就是氧化层，也就是不论有源区还是场区都是有寄生电容存在的，我们就是利用它们来做电容；比较简单的方法就是一个MOS管的源、漏相连为a端，栅极为b端，a、b间就是一个电容，其大小很显然是K（氧化层介电常数）*（L*W）。 

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对于补充问题： 

看来你现在不明白的是VLSI工艺的实现方法。下面简单叙述。 

VLSI采用的是平板工艺，它的制作大致分为氧化、光刻、掺杂、淀积4步。 

最最开始的时候，我们先找到一批非常纯净的单晶硅块，按照集成电路趁底的掺杂要求放入一定比例的III/V族元素（非常少），然后熔融，在用拉伸生长法拉出一条圆柱体状的低掺杂硅柱，经过切割、抛光就得到了一片片的晶圆。至此，初步准备工作就做好了（衬底就做好了）。 

下面开始以这个晶圆为“基底”，开始往上“盖楼房”。首先是氧化，即在晶圆表面均匀形成一层氧化层；然后做一层多晶硅的栅极，当然是按照版图中 的形状来做。之后开始光刻，光刻前要涂光刻胶，按照版图形状对光刻胶曝光，这样就可以按照版图留下有源区的区域，在此区域腐蚀掉氧化层。这样，晶体管有源区的衬底就暴露在空气下（别处还都有氧化层保护）；下面掺杂，按照晶体管设计要求向暴露的有源区用离子注入的方法掺杂，形成MOS的源漏；之后在有源区进行淀积，淀积上铝用于连接外电