UC知道关于CMOS传输门的一些问题，课本上没说。图片上传不了、、、麻烦找一下。。。
来源：百度知道 编辑：UC知道 时间：2024/06/05 17:37:06
以下是分析
若 C =1（接VDD )、C =0（接地），
当0＜uI＜(VDD－|UT|)时，VTN导通；
当|UT|＜uI＜VDD 时，VTP导通；
uI在0~VDD之间变化时，VTP和VTN至少有一管导通，使传输门TG导通。
若 C = 0（接地)、C = 1（接VDD ），
uI在0~VDD 之间变化时，VTP和VTN均截止，即传输门TG截止。
以下是我的问题：
为什么衬底和栅极要分开接不同电压？
为什么传输的信号要受到直流偏置电压的限制？这样的限制原理是什么？
若 C =1（接VDD )、C =0（接地），
当0＜uI＜(VDD－|UT|)时，VTN导通；
当|UT|＜uI＜VDD 时，VTP导通；
uI在0~VDD之间变化时，VTP和VTN至少有一管导通，使传输门TG导通。
若 C = 0（接地)、C = 1（接VDD ），
uI在0~VDD 之间变化时，VTP和VTN均截止，即传输门TG截止。
以下是我的问题：
为什么衬底和栅极要分开接不同电压？
为什么传输的信号要受到直流偏置电压的限制？这样的限制原理是什么？
MOS衬底与栅极间存在一层很薄的二氧化硅绝缘膜,而两个扩展区(即漏极和源极)是分开的,与衬底形成两个背向的PN结,如果在栅极和衬底之间加合适电压,可以使衬底靠近栅极的部分出现反型层(即与漏极源极同型),这时出现导电沟道,在漏极和源极之间加电压就可以产生电流了.
由于没有图,很难说得清楚的.你可以去找一本模拟电子技术的书看啊