关于二极管原理的一个小问题

来源：百度知道 编辑：UC知道 时间：2024/06/01 19:01:34
比如在Si中掺杂+5价的P或As等元素形成N型半导体时，因为多出一个电子，所以多子是带负电的电子，那么少子--空穴是怎么来的？书上说的是“本征半导体电离出来的”有点不太理解，大家能换个说法解释一下吗？
多谢各位了~谢谢回答的朋友们！
PS：因为我的级别限制，所以不能上传PN结的图片，请见谅。
我看了大家的回答，意思是“一个萝卜一个坑”那为什么N区多子是电子而不是空穴呢？他们的比例不是1：1的啊？

本征半导体由于光照、温度等等原因，会有本征激发，即有些电子会挣脱共价键成为自由电子，同时在它原来待的地方留下一个空穴，在本征半导体里自由电子和空穴的数量是相等的。掺杂了五价元素的N型半导体里也象本征半导体那样，有电子挣脱共价键成为自由电子的现象，由此产生了数量相等的空穴和自由电子，就是你的书上说的“本征半导体电离出来的”，另外再加上五价元素多出来的电子，自由电子就比空穴的数量多了，于是电子就成了多数载流子了

共用电子对跑出来一个电子，原来的地方不就空了吗，那就是空穴，空穴带正电

事实上是电子是实际存在的物质,空穴是为类容易描述电子用动而假象的和电子想对应的那个坑,谢谢!实际上空穴不存在也不移动!

楼主忽略了原子核并不全是+4的Si,正是由于+3或+5的原子核存在，而最外层公用电子对达到八电子稳定结构。所以由电荷守恒知电子空穴比不是1:1。