进入BIOS，如何找到DRAM下的CAL项将其改为3？？？

进入BIOS设置中第三列 Advance chipset feature（高级芯片组设置项）回车 选择DRAMclock/drive control（内存频率速度控制项）回车 下面有四个子菜单：
1.SDRAM CAS Latency作用是:内存接收到一条指令后,开始读取前的等待时间,单位是CLK即clock cycle 将其值设为2能提高系统性能 设为3能提高系统稳定性.

2.Precharge to active(trp)作用是:控制当ras 预充电指令送到内存后等待启动的延迟周期.设为2t可以提高系统性能 设为3-4t提高系统稳定性.

3.Active to CMD作用:设置行地址控制器(RAS)到列控制器(CAS)的延迟周期,如果内存较好可以选择2t.

4.active to precharge作用:控制内存从激活状态到预充电的时钟周期数,该值一般设为SDRAM CAS Lantacy +Active to CMD +2个时钟周期。