内部动态存储空间和内置NAND闪存的区别是什么

内部动态存储空间就是RAM芯片。
以上N85的介绍可以翻译成：
74M的ROM内存——用于集成系统和核心控制
74M的RAM内存——用于系统运行程序的缓存
另外集成闪存芯片——用于数据存储

RAM随机存储芯片和Nano闪存芯片的区别是RAM的速度和寿命远大于后者。Nano闪存的固有寿命缺陷是只能承受10W~15W次的擦写，之后会失效。芯片价格上也是Nano便宜。
一般来说128M的Ram芯片的成本甚至高于一颗1G的Nano芯片。