PN半导体中,P中的电子随时间延长，岂不是越来越多，N中的空穴越来越多？

所谓的空穴，只是在p型材料中表示电子行为的一种人造概念。pn结正偏时，电子由n端流入，在pn结中是由n到p的，这个电子流对p型材料，你也可以看成是空穴从p到n，实际上就是那些电子在循环运动，所以不会有“阻塞”

另外，比如一电子由A到B运动，就等效为一空穴由B到A运动，以pn结为参照系，其并不是静止的

一．无光照时单个PN结导电机理­

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图一是在PN结即将接触时的情况。当PN结即将接触时，还没有形成空间电荷层，在P型半导体中的多子为Ph，少子为Pe。由于热激发，在P型半导体中的多子和少子的数量有一确定值，用下式表示：Ph x Pe=C（T），也就是说在一确定温度下Ph x Pe的乘积是确定值。从数量级上来说Ph>>Pe，从图一中看来，每个受主都会电离一个空穴（图一标注为①），当然也会在内部产生少量电子（图一中标注为②）。N型的情况和P型类似型，N型半导体中的多子为Ne，少子为Nh。由于热激发，在N型半导体中的多子和少子的数量有一确定值，用下式表示：Ne x Nh=C（T），也就是说在一确定温度下Ne x Nh的乘积是确定值。从数量级上来说Ne>>Nh，从图一中看来，每个失主都会电离一个电子（图一标注为③），当然也会在内部产生少量空穴（图一中标注为④）。­

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当P、N型半导体接触时，形成PN结，如图二显示。在接触后电学性能稳定下来以后，在PN结的接触面上形成了空间电荷区，空间电荷区的形成是由于空穴和电子中和，留下带电的离子，电场方向从N指向P。­

PN结内存在两种电流：1扩散电流Id：是多子的运动，对与PN结来说就是空穴从P区移动到N区而产生的电流以及电子从N区流动到P区产生的电流。2漂移电流，在空间电荷区的作用下形成的电流，对于PN结来说就是空穴从N区流到P区以及电子从P区流到N区产生的电流。扩散电流和漂移电流的方向是相反的­

在PN结刚接触还未形成空间电荷区时，P区的空穴（P区的多子）比N区的空穴（N区的少子）多，此浓度差使P区的空穴向N区运动，此运动形成的电流为空穴扩散电流，用Ih表示。与此同时，N区的电子（N区的多子