硅的问题

严格讲，C与SiO2反应有3种情况
C + SiO2 =高温= Si + CO2
2C + SiO2 =高温= Si + 2CO
3C + SiO2 =高温= SiC + 2CO
你可以看到，C少，生成Si和CO2
C多，则与CO2反应，生成CO
C再多，则与Si反应，生成SiC

实际工业生产，往往控制反应主要是第二个，因为，C过少，不利于还原环境，但是C过多，又会将Si转化为SiC，带来损失。
这样得到的Si中仍含有一些杂质，主要是过多的C带来的少量SiC和多余的少量C，在工业上可以进行精制，主要反应教材上也有，必修1中
简单理解，是
Si + 4HCl =高温= SiCl4 + 2H2，SiCl4是分子晶体，熔沸点较低，蒸馏出来，冷凝后，（有时，会写成，Si + 3HCl =高温= SiHCl3 + H2）
SiCl4 + 2H2 =高温= Si + 4HCl

c与sio2反应是在高温下进行的，如果产生co2 ,co2 可以和c反应生成CO ,所以最后还是CO,

可以产生co2 其实就是量的问题
c过量产生co
c少量产生co2

不过我们当然希望c过量，充分利用SIO2，从而大量生产硅

因而生成的都是CO