一道题，希望得到解题过程。

本结论可运用高斯定理解。

高斯定理：通过某一闭合曲面的电通量等于该闭合曲面内所含电荷量的4π(圆周率)K倍。

即：φ＝4πkQ

其中ES=φ（E为场强，S为正对面积）

取无限大平板上一小面积s则有：

E=4πkQ/2s (闭合曲面内,该板同时向上下2个方向发射电场线,故取2s)
=4πksσ/2s
=2πkσ

高斯定理在许多高中物理竞赛教程有介绍,大学物理电磁学上有详细介绍.

找一个圆柱面为高斯面
底与带电平面平行
带电平面过其中心
由圆柱侧面与电场方向平行
电通量0
两侧面同
故由高斯定理
通过某一闭合曲面的电通量等于该闭合曲面内所含电荷量比真空介电常量（和楼上一个意思）
得σ/2倍真空介电常量