有关电子与空穴的扩散（PN结）

来源：百度知道 编辑：UC知道 时间：2024/06/14 01:53:30
请问师兄师姐们，形成耗尽区的过程里，电子空穴相向扩散，它们会复合吗？是部分复合还是大部分复合？
我看到的教材里只有清华童诗白版的《模电》上说会复合，其他的都没说。
必然？
可是电子和空穴不在一个层面，还隔着禁带隙，要复合电子不得“跃迁”回价带啊？
这里的自由电子是不是很容易就回到价带呢？

忧伤の舞步师兄：“总会有部分活跃的电子跃迁过禁带的”，“活跃”意味着较高能量，怎么还能往回跃迁呢？应该去更高的能级了吧~ 另外电子回跃应该有能量释放，这部分能量去哪里？转化为内能还是放出光子？

这样的话，平衡时P、N区的自由电子浓度应该大一些吧（相比接触之前）？因为扩散时复合的空穴电子对所放出的能量可以供P、N区的价带电子去导带。是吗？

晕，我没问空穴是如何形成的。请看好问题再回答。

电子受到热激发从价带跃入导带，在价带留下空位
这样是产生空穴-电子 对

而当导带的电子运动 靠近了 空穴时， 电子就可能从导带 落入价带中的空位，这叫复合
复合消灭 空穴-电子对

平衡状态下的半导体是一种动态的平衡状态，空穴-电子 对的 产生率与复合率一定相等。
所以 复合放出的能量，可以再次热激发电子不是又产生 空穴-电子 对了吗
然后又相遇复合。。。循环
这就叫半导体的热平衡状态。

电子被激发到导带 在原来价带不是留下空位了吗， 这个空位就是空穴啊

注意 ：是在说 激发电子同时也激发了空穴，
浓度大？既然是PN结
少子是就浓度小的 ，多子就是浓度大的

在P区 还会激发出少子——电子
N区 也还会激发出少子——空穴
既然看了书，应该知道 除了多子扩散 ，少子还会漂移，
扩散和漂移也要维持平衡的。。。。
结果就是 使得耗尽层的范围的在平衡时候保持一定
所为 “耗尽”就是复合耗掉了空穴和电子，留下了束缚电荷

书上说的还是比较清楚，自己多消化理解下吧。

形成耗尽层的具体的过程首先必须是，P区的空穴和N区的电子由于浓度差而扩散，在结合的部分产生复合，渐渐形成一个势垒，随着复合的增多，这个势垒越来越大，以至于阻碍了空穴和电子的扩散，耗尽区就这样形成的…
相向扩散必然复合嘛

1、复合。
这个耗尽区的形成是一个动态平衡的过程。复合是在不断进行中的。

2、“是部分复合还是大部分复合？”
耗尽区形成前可以理解为部分复合。
当耗尽区形成并稳定后，可以理解为相向扩散的电子和空穴全部复合了。

3、无论禁带多宽，总会有部分活跃的电子跃迁过禁带的。这个问题你深究了吧？如果你是学微电子的，那么以后还有一门课《微电子基础》，那上边讲的太清楚了。

负荷
是用电器
是部分
电子是由（—）到（+）
空穴是由（+）到（—）