问一个困扰了我【20年】的【绝顶刺激】的关于【微电子中的电容】的问题。

先声明：我不给分不是因为要白套大家帮忙，而是我这个账号好像有问题：我明明有好多分，偏偏说我财富值为：0 ~！！！——如果答案满意，改天一定补上~！！
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在下述问题中，这个解决方案是否可行——参见最后的问题描述以及附图？？——如果可行的话，怎么这么多年，都没有一个人想到呢？？——现在的芯片内部的电容形成方法，还是【打洞】的方法，难道不能借鉴此种思想，用很多【弯曲面】或【凹陷面】来代替直面，以做到增大面积，从而增大可存储的电荷量的作用么？——以此方法增大了电容的容量？——这样可以么？——恰似：活性炭过滤一样，增加好多内部空隙，来增大实际表面积，从而提高过滤效果。
——微电子业界，云集世间一群精英，——却长期没有人这么干过，这说明这佯作肯定是在工程上有问题的，我猜测问题大概有如下几个：
【1】：晶圆上生成电容，常常用打洞的方法，而这样的电容器的两极上打洞，算是在电容上作电容，这可能会使得所做成的电容器的值的精度不好，因为所打的洞的参数或者洞底的边沿处理工艺跟不上，所以可能会洞洞不同，导致做出来的电容精度不好。
【2】：因为表面不平整，所以，在【同性相斥】以及【异性相吸】的共同作用下，导致一个电极板上的电荷空间分布形式会随着其上的电荷总量在不断变化，而分布形式实质上是代表了电荷利用电极板产生所谓的【电容效应】的有效面积，这样就导致了充入的电荷不同，而对应于不同的电荷量，电容的值不相同——这样的电容就没法使用了。
因为我们通常的电容都是要求值恒定：C=Q/U;这样，我们才好以这个电容值来作为计算的基础。
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大家还能想出其他的推翻这个方案的工程上的意见么？
亟盼高手相助。
【具体问题】以及对应的【乌托邦式的解决方案】如下：

【应用背景】： 在DRAM(Dynamic Random Access Memory) 设备中，信息是储存在MOS (Metal-Oxide -Semiconductor)集成电路板的半导体电容器里。
【问题描述】：
目前随着设备尺寸的不断减小，电容器容量受到了限制。需要寻找一种方法，能在缩小电容器尺寸的同时，提高其电容量。

【解决方法】：
如图可以在电容器的两个电极

问一个困扰了我两年的病 问一个一直困扰我的问 问一个小小困扰了我的政治问题？ 问一个困扰我很久的问题 问一个困扰我好久的问题 问一个困扰我很久的问题~ 一个困扰了我20多年的问题！！ 一个困扰了我1年多的问题 高分！！！！！！！！！！！！ 一个困扰了我一周的问题？？？？？？？？？？ 一个困扰了我很久的问题