关于三极管原理的老问题,回答要通俗啊

来源:百度知道 编辑:UC知道 时间:2024/05/23 23:32:52
一大堆的理论就不要说了,书上全有。说说为什么基极电流能够维持集电极的电流吧。基极补充空穴的时候为什么不是电子直接从发射极流向基极?而是加大了发射极电流?集电结不是反向偏置的吗?那应该形成一个很厚的耗尽层啊。应该是极大的阻碍了电流才对。
在我的想象中,集电结形成耗尽层,基极补充空穴,发射极电子流过去复合。集电结无法导通,电流直接由发射极流向基极。
补充一下,我的意思是:从发射极流过来的电子直接就被基极的导线导走了,而没有继续向集电极流。上面的表达有些不准确,抱歉。
书上说:基极的价电子不断被导走,形成空穴补充。这样才能持续的压缩发射结的内电场,维持电流。为什么不是发射极流过来的自由电子被导走?如果是,空穴就无法得到补充了。其中,又是怎样实现选择价电子于自由电子的呢?

首先纠正你一个错误的认识,在晶体管中发射极电流是产生其它两个极电流的根源,所以不要问“基极补充空穴的时候为什么不是电子直接从发射极流向基极”。
老生常谈,还是简要说一下它的工作原理。以放大时的NPN管为例:
放大时发射结正偏,有大量电子从发射极经过发射结进入基区,由于基区为P型半导体,在基区这些电子一部分与基区的多子空穴复合,由于这种复合,基极不断提供空穴来补充基区复合掉的空穴,这个电流就是基极电流。三极管要求基区的宽度极小,由于集电结是反偏的,集电结的电场为集电区指向基区。
由于基区极窄,从发射极进入基区的电子还没来得及与基区的空穴完全复合掉就扩散到了集电结的边缘,然后被集电结的强电场拉入集电区,这些电子形成了集电极电流。
需要注意的是,基区必须很薄,从而确保进入基区的电子在到达集电结之前只有极小一部分被基区复合。其次,基区的掺杂浓度必须远小于发射区,也是为了确保发射区进入基区的电子足够多,并且这些电子只有极小一部分被复合,因为发射区掺杂越高,进入基区的电子越多,基区掺杂越小,空穴浓度越小,被复合的越少。

最近刚听到一个很牛的老师的这么个说法:
三极管放大作用很简单,比如说你买了三斤鸡蛋,把它们摞起来,然后拿一个去打,那么那些就会掉下来,而每次掉下来的数目会不同而且归跟打的方式环境等有关,学理论的时候觉得很难理解,然后课程设计的时候老师从用的角度这么解释,感觉很新鲜