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来源：百度知道 编辑：UC知道 时间：2024/06/04 14:48:15
In a preceding section on the forward characteristics of a pn junction diode,we have implicitly assumed that there is no carrier generation and recombination within the space-charge region. However,the bias changes the carrier concentration at the edges of the space-charge layer, so that pn!=n^2.Carrier generation and recombination do occur in the transition region and also contribute to current.
pn!=n^2 专业术语 可不翻译！ 请大家速度翻译 或有加分哦！~~

在上一节讨论PN结二极管的正向特性中，我们隐含假设在空间电荷区没有载流子的产生和重新结合。但是偏压改变了空间电荷层边缘的载流子浓度，所以 PN != N2. 载流子的产生和重新结合在过渡区的确会发生，也会产生电流。

在前一段的特点,我们pn结二极管隐含假定无载波生成和重组的space-charge地区内。然而,当浓度变化承运人在边缘space-charge层,以便pn ! = n ^ 2.Carrier生成和重组中确实存在过渡区,也有助于电流。

在以一个pn结二极管的正向特性上一节，我们已经含蓄地假定是没有运营商的产生和在空间电荷区的重组。但是，偏见的变化在空间电荷层边缘的载流子浓度，使通知书pn!=n^2..Carrier发电和重组不发生在过渡区，也有助于电流。