电荷迁移

东京大学等开发高电荷迁移率两极性有机半导体材料
dzsc.com 新闻出处：光电新闻网 发布时间： 2009年06月09日
6月9日消息，东京大学及日本科学技术振兴机构（JST）等的研究小组开发出了作为非晶质物质的电荷迁移率达到“最高水平”（该研究小组）的两极性有机半导体材料。

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2007年发表的Benzodifuran衍生物（左），此次开发的两极性CZBDF的结构

对中间层掺杂色素后的同质结有机EL元件的电压-外部量子效率特性（左图）以及元件发光情形（右下照片）

该两极性材料称为“CZBDF”，系在该研究小组2007年发表的含有氧原子的缩环π电子共轭类化合物“Benzodifuran”为母核的衍生物基础上开发而成。Benzodifuran衍生物是一种在非晶质薄膜上具有高空穴迁移率的p型半导体材料。此次通过将该Benzodifuran衍生物的“ 胺”部位换成“咔唑”，开发出了高电荷迁移率的两极性材料CZBDF。另外还使用CZBDF试制了同质结型有机EL元件，并成功实现了同时使用荧光和磷光的EL发光及蓝、绿、红3原色EL发光。

CZBDF的非晶质薄膜的电荷迁移率，空穴为3.7×10-3cm2/Vs，电子为4.4×10-3cm2／Vs。两种电荷的迁移率都很高，数值均衡性良好。这些数值是利用飞行时间（TOF：Time Of Flight) 法测量的（电场强度为2.5×105V/cm时）。

此外，该研究小组还利用此次开发的两极性材料CZBDF，通过真空蒸镀法试制了同质结型有机EL元件。具体为，将玻璃底板上的 ITO（氧化铟锡）作为阳极，以真空蒸镀在该阳极上依次形成了厚150～200nm的有机薄膜及Al金属（阴极）。

该有机薄膜以CZBDF为单一的主体材料，在距阳极30nm的范围内，通过与无机氧化剂V2O5（