可控硅控制电路问题

来源:百度知道 编辑:UC知道 时间:2024/05/15 15:46:22
图中为可控硅控制电路,通过控制光耦来控制可控硅从而控制加热丝加热,但是我不知道电路中的电阻R47,R48.R49和电容C41在电路中的作用,请哪位高手来分析下一下了 或提供可控硅控制电路资料参考,谢谢,高分悬赏。

附图是MOC3061应用实例,用来对照。

R49是可控硅控制极的限流电阻。R48用来防止可控硅误触发。R47和C41组成RC吸收回路,不让瞬间过压造成可控硅误导通或损坏。

加光耦是为了防止 后级电路烧毁后 同时烧毁前级主控芯片 起隔离的作用
R48、49是晶体管的偏置电阻 使三极管处于线性放大区 R47和C41是吸收电路 防止浪涌电压损坏三极管 不知能不能解决你的疑惑 若有疑问可以交流

这电路设计不好,控制太复杂,可以简单一些.