p-n结 高手进

来源：百度知道 编辑：UC知道 时间：2024/05/13 15:00:48
看了书本 也看了网上的一些资料 我还是不明白P-N结为什么会有单向导通特性 反接的时候：说是内电场增大 N极电子更难向P极扩散 N极的电子根本不需要扩散到P极啊 他直接跑去电源正极了啊 而电源负极会为P极提供电子啊 电子在电场作用下流过P极 提供给N极 如此 不就形成了 不少的电流了吗？为什么说电流很少？
对于P极 负极会不断提供电子 填补空穴 所以说小子电子 其实不少啊～～ 不是吗？ 电子又会通过空穴 传到N极啊

再补充：当N极自由电子全部跑到电源正极后，扩散到P极的电子（原属于N极的自由电子）会因电场作用跑回N极，如此所谓的P-N结不就消失了?电子通过P极的空穴到达N极，然后去到电源正极，如此不就形成稳定的，不少的电流吗？

恩 好问题.其实你说的对 反接瞬间会有瞬间~电流
但关键在与之后 一方面N中的自由电子已经都跑到正极了
另一方面没有更多电子补充(由于PN节被外电场加强了这你也知道)
自然断路拉~

补充一下 其实你也可以想想"击穿"是什么意思 反接电压太大时晶体中固定的带电结构被"吸"动 遭到破坏 而这个过程是不可逆的~~

N级电子是多子，P级空穴是多子，发生扩散效应，而少子则发生漂流效应，二者作用的结果就是产生一个电位壁垒。反接后，电位壁垒提高，少子的漂流效应大于多子的扩散效应，产生一个反向电流，因为少子很少，所以电流很小

这块确实有点问题，我对书上写的都有点怀疑了，全是扯！

1楼说的没错~

至于楼主的问题，也好解释：

I= nevS，电流I的大小和自由电荷浓度n，电荷移动速度v，以及导线横截面积S密切相关~
当v，S一定时，n的大小决定电流的大小~

在半导体中，少子浓度远远小于多子，而反向电流是由少子的漂移运动产生的，所以很受浓度的限制，具有饱和性~

当然，P-N结击穿时，所有的原子几尽电离，少子不再是少子，所以电流相当大！