MOS二极管有没有整流特性啊？

在阳极侧施加负电压，就是逆向偏压。这种情况下，因为N型区域被注入电洞，P型领域被注入电子，两个领域内的主要载子都变为不足。因此结合部位的空乏层变得更大，内部的静电场也更强，扩散电位也跟著变大。这个扩散电位与外部施加的电压互相抵销，让逆向的电流更难以通过。
反之，二极管的阳极侧施加正电压，阴极侧施加负电压，这样就称为顺向偏压。如此N型半导体被注入电子，P型半导体被注入电洞。这样一来，让主要载子过剩，空乏层缩小、消灭，正负载子在接合部附近结合并消灭。整体来看，电子从阴极流向阳极（电流则是由阳极流向阴极）。在这个领域，电流随著偏压的增加也急遽地增加。伴随著电子与电洞的再结合，两者所带有的能量转变为热（和光）的形式被放出。

有MOS二极管这种元器件？
（大多是硅、锗二极管,PN结单向导电）