UC知道急 ！ ！ ！超频内存的问题？
来源：百度知道 编辑：UC知道 时间：2024/05/05 11:11:20
我的DDR一代内存SPD信息显示即可以设为
166MHZ
CAS#潜伏时间 2.5
RAS#到CAS# 3
RAS#预充电 3
周期 7
也可以设为
200MHZ
CAS#潜伏时间 3.0
RAS#到CAS# 3
RAS#预充电 3
周期 8
请问:1．这两种设置哪个能获得更高的性能呢?
2．如果我设为200MHZ/3.0/3/3/8 如果我想超频一下内存的话，是应该优先把3.0/3/3/8其中的哪个先设小一些呢？
谢谢回复！
166MHZ
CAS#潜伏时间 2.5
RAS#到CAS# 3
RAS#预充电 3
周期 7
也可以设为
200MHZ
CAS#潜伏时间 3.0
RAS#到CAS# 3
RAS#预充电 3
周期 8
请问:1．这两种设置哪个能获得更高的性能呢?
2．如果我设为200MHZ/3.0/3/3/8 如果我想超频一下内存的话，是应该优先把3.0/3/3/8其中的哪个先设小一些呢？
谢谢回复！
1.
CAS#Latency(CL)即为列地址选通脉冲潜伏期。
这个选项一般是往低了调，但是如你所说你已经调高了前端总线频率，那么出于稳定性的考虑建议为设为3。
RAS#toCAS#(TRCD)和RAS#toPrecharge(TRP)，2为最高性能,4为最稳定。
Tras#就稍微复杂些
您的主板如果不支持双通道 ，并且单条内存是256M的， 那么这一选项可以往低了调 ， 但是最好不要小于5。短 tRAS 的内存性能相对于长 tRAS 可能会产生更大的波动性，对时钟频率的提高也相对敏感。
如果支持双通道或者单条容量大于256M的话，此项就稍微设长一些。该值一般设定为CAS#latency + TRCD + 2个时钟周期
2.
从第一个开始往下调,该参数对内存性能的影响最大，在保证系统稳定性的前提下，CAS值越低，则会导致更快的内存读写操作。CL值为2为会获得最佳的性能，而CL值为3可以提高系统的稳定性。