什么是驱动保护

摘要：本文介绍开关电源中常规驱动与保护电路的工作原理，在此基础上分析驱动保护二合一电路的工作原理、特点、应用。

关键词：开关电源 驱动电路 保护电路

1.引言

开关电源发展趋势是工作频率越来越高,实用频率已接近或超过1MHz,且超大功率器件的驱动也比较困难,随着使用频率的进一步提高,高速开关与大功率M0SFET的转换(过渡)过程就成为整个开关过程的重要因素。转换过程的快慢,不仅决定了工作频率的设计指标,而且对开关电源的效率、可靠性、寿命等带来了很大影响。保护线路是否灵敏、可靠与完善,与开关器件的安全运行至关重要。

2.常规驱动与保护电路

通常设计的驱动电路,多为采用脉冲变压器耦合,优点是:结构简单,适用中小变换设备上。缺点是:不适用大型设备上的大功率M0SFET或IGBT器件,而且存在波形失真,容易振荡,尤其是脉冲变压器耦合不良漏感偏大时更为严重,抗干扰与抑制误触能力低。这是一种无源驱动器,而高频大功率器件M0SFET与IGBT,宜采用有源驱动器。

通常保护电路,利用互感器实现电流--电压的比值转换,信号的电平高于稳压管稳压值输入PWM芯片的保护脚截止振荡工作的保护方式。这种电路的缺点是:响应速度慢,动作迟缓,对短路性电流增长过快下,可能来不及动作。

而采用电子高速检测保护电路,则过流动作响应速度极快,可靠性高,效果好,是一种理想的保护电路,克服了利用互感器的一些不足。
2.1驱动电路（电压型）：

如图1所示:图1(a)适合于低频小电流驱动。当控制信号Vi为高电平时，V1导通，输出Vo对应控制的开关管（IGBT）导通；当控制信号Vi为低电平时，V2导通，输出Vo对应控制的开关管（IGBT）被关断

图1(b)采用场效应管组成推挽电路，其工作原理同图1(a),这种电路高频峰值驱动电流可达10A以上,适用于大功率M0SFET或IGBT。

2．2电子高速检测保护电路：

如图2所示:在正常工作时,V2导通VDS处于低电平,A点电位通过D2回流至D点，因为漏极处于低电位，所以