VDMOS工作原理

电力MOSFET的工作原理（N沟道增强型VDMOS）
　　截止：漏源极间加正电源，栅源极间电压为零。
　　P基区与N漂移区之间形成的PN结J1反偏，漏源极之间无电流流过。
　　导电：在栅源极间加正电压UGS
　　当UGS大于UT时，P型半导体反型成N型而成为反型层，该反型层形成N沟道而使PN结J1消失，漏极和源极导电 。
　　电力MOSFET的基本特性
　　(1)静态特性
　　漏极电流ID和栅源间电压UGS的关系称为MOSFET的转移特性。
　　ID较大时，ID与UGS的关系近似线性，曲线的斜率定义为跨导Gfs。
　　(2)MOSFET的漏极伏安特性（即输出特性）：
　　截止区（对应于GTR的截止区）
　　饱和区（对应于GTR的放大区）
　　非饱和区（对应GTR的饱和区）
　　工作在开关状态，即在截止区和非饱和区之间来回转换。
　　漏源极之间有寄生二极管，漏源极间加反向电压时导通。

H.W.COLLINS等人提出了一种不曝露栅氧化层的垂直双扩散MOS（习称VDMOS）。其中多晶硅栅被埋在源极金属下面，栅极电流穿过水平沟道，经过栅极下面的积累层再通过垂直N-漂移区流到漏极。这种结构的MOS管，工艺上与现在高度发展的超大规模集成电路（VLSI）工艺相容，因此发展非常快。

80年代以来，迅猛发展的超大规模集成电路技术给高压大电流半导体注入了新的活力，一批新型的声控功放器件诞生了，其中最有代表性的产品就是VDMOS声效应功率晶体管。

这种电流垂直流动的双扩散MOS器件是电压控制型器件。在合适的栅极电压的控制下，半导体表面反型，形成导电沟道，于是漏极和源极之间流过适量的电流

VDMOS兼有双极晶体管和普通MOS器件的优点。与双极晶体管相比，它的开关速度，开关损耗小；输入阻抗高，驱动功率小；频率特性好；跨导高度线性。特别值得指明出的是，它具有负的温度系数，没有双极功率的二次穿问题，安全工作出了区大。因此，不论是开关应用还是线性应用，VDMOS都是理想的功率器件。

现在，VDMOS器件已广泛应用于各种领域，包括电机调速、逆变器、不间熠电源、开