铌酸锂单晶片用途!

铌酸锂（LiNbO3）晶体是目前用途最广泛的新型无机材料之一，它是很好的压电换能材料，铁电材料，电光材料，非线性光学材料及表面波基质材料。铌酸锂作为电光材料在光通讯中起到光调制作用。
电光效应是指对晶体施加电场时，晶体的折射率发生变化的效应。有些晶体内部由于自发极化存在着固有电偶极矩，当对这种晶体施加电场时，外电场使晶体中的固有偶极矩的取向倾向于一致或某种优势取向，因此，必然改变晶体的折射率，即外电场使晶体的光率体发生变化。在光通讯中，电-光调制器就是利用电场使晶体的折射率改变这一原理制成的。电光晶体位于起偏镜和检偏镜之间，在未施加电场时，起偏镜和检偏镜相互垂直，自然光通过起偏镜后检偏镜挡住而不能通过。施加电场时，光率体变化，光便能通过检偏镜。通过检偏镜的光的强弱由施加于晶体上的电压的大小来控制，从而实现通过控制电压对光的强弱进行调制的目的。

铌酸锂（LiNbO3）晶体是重要的光电材料，是集成光学、非线性光学、光电子元器件等领域中应用最广泛，最重要的基片材料之一。目前，铌酸锂晶体被广泛应用在声表面波、电光调制、激光调Q、光陀螺、光参量振荡、光参量放大、光全息存储等器件中，这些器件在手机、电视机、光通讯、激光测距、电场探测器等以及军工技术中发挥着重要的作用。
现在最先进的铌酸锂单晶薄膜晶格结构为单晶，完全保持体材料优秀物理性质，直径为3英寸，上层铌酸锂单晶薄膜厚度为0.3-0.7微米，中层是1微米厚二氧化硅（SiO2）, 最下面是0.5毫米厚铌酸锂晶片衬底。作为产业链的基础材料，主要应用于以下几个领域：
1、光纤通讯，例如波导调制器等。用此薄膜材料生产的器件与传统产品相比体积可缩小百万倍以上，集成度大幅提高，响应频带宽，功耗低，性能更加稳定，制造成本降低。
2、电子学器件，比如高质量滤波器，延迟线等。
3、信息存储领域，可实现高密度信息存储，一片3英寸薄膜的信息存储容量为70T（相当于10万张CD）。