内存参数中CL是什么意思？

在BIOS主界面的 Advanced Chipset Features 选项子界面中大家可以看到：
SDRAM Frequency
Configure SDRAM Timing by SPD
SDRAM CAS# Latency 简称CL
SDRAM RAS# Precharge 简称TRP
SDRAM RAS# to CAS# Delay 简称TRCD
SDRAM Precharge Delay 简称TRAS
SDRAM Burst Length 简称BL

CL、tRCD、tRP 为绝对性能参数，在任何平台下任何时候，都应该是越小越好，调节的优化顺序是 CL → tRCD → tRP

Automatic Configuration“自动设置”（可能的选项：On/ Off或Enable/Disable）

可能出现的其他描述为：DRAM Auto、Timing Selectable、Timing Configuring By SPD等，如果你要手动调整你的内存时序，你应该关闭它，之后会自动出现详细的时序参数列表。

Bank Interleaving（可能的选项：Off/Auto/2/4）

这里的Bank是指L-Bank，目前的DDR RAM的内存芯片都是由4个L-Bank所组成，为了最大限度减少寻址冲突，提高效率，建议设为4（Auto也可以，它是根据SPD中的L-Bank信息来自动设置的）。

Burst Length“突发长度”（可能的选项：4/8）

一般而言，如果是AMD Athlon XP或Pentium4单通道平台，建议设为8，如果是Pentium4或AMD 64的双通道平台，建议设为4。但具体的情况要视具体的应用而定。

CAS Latency “列地址选通脉冲潜伏期”（可能的选项：1.5/2/2.5/3）

BIOS中可能的其他描述为：tCL、CAS Latency Time、CAS Timing Delay。