DDRⅢ内存有多少个接触点

出于在制造工艺方面的进步，DDR3内存颗粒均将以90nm甚至更为先进的制程进行生产，加之若获取相同Clock Frequence和Data Bus时DDR3将会有着更低的DRAM Core Frequence，因此其默认工作电压已由DDR2的1.8v下降至现时的1.5v。正如来自于韩国Samsung公司的Scott Kim先生在2007年北京IDF上的一堂课程中所说：“DDR3内存是高速至冷的新一代产品。”

较之现时的DDR2规格，DDR3内存模组的I/O Buffer缓冲单元采用了更低的能耗设计，I/O Driver单元已由上一代34欧姆降低至现时的18欧姆，这也使得在相同的传输速率下DDR3的耗能表现将比DDR2降低30%左右。