如何将cd room数字读取模式切换到模拟读取方式

FPM RAM 快速页模式随机存储器
这里的所谓“页”，指的是DRAM芯片中存储阵列上的2048位片断。FPM RAM是最早的随机存储器，在过去一直是主流PC机的标准配置，以前我们在谈论内存速度时所说的“杠7”，“杠6”，指的即是其存取时间为70ns， 60ns。60ns的FPM RAM可用于总线速度为66MHz（兆赫兹）的奔腾系统（CPU主频为100，133，166和200MHz）。
快速页模式的内存常用于视频卡，通常我们也叫它“DRAM”。其中一种经过特殊设计的内存的存取时间仅为48ns，这时我们就叫它VRAM。这种经过特殊设计的内存具有“双口”，其中一个端口可直接被CPU存取，而另一个端口可独立地被RAM“直接存取通道”存取，这样存储器的“直接存取通道”不必等待CPU完成存取就可同时工作，从而比一般的DRAM要快些。

EDO RAM 扩充数据输出随机存储器
在DRAM芯片之中，除存储单元之外，还有一些附加逻辑电路，现在，人们已注意到RAM芯片的附加逻辑电路，通过增加少量的额外逻辑电路，可以提高在单位时间内的数据流量，即所谓的增加带宽。EDO正是在这个方面作出的尝试。扩展数据输出(Extended data out??EDO，有时也称为超页模式??hyper－page－mode)DRAM，和突发式EDO(Bust EDO－BEDO)DRAM是两种基于页模式内存的内存技术。EDO大约1996年被引入主流PC机，从那以后成为许多系统厂商的主要内存选择。BEDO 相对更新一些，对市场的吸引还未能达到EDO的水平。
EDO的工作方式颇类似于FPM DRAM，EDO还具有比FPM DRAM更快的理想化突发式读周期时钟安排。这使得在66MHz总线上从DRAM中读取一组由四个元素组成的数据块时能节省3个时钟周期。

BEDO RAM 突发扩充数据输出随机存储器
BEDO RAM，就像其名字一样，是在一个“突发动作”中读取数据，这就是说在提供了内存地址后，CPU假定其后的数据地址，并自动把它们预取出来。这样，在读下三个数据中的每一个数据时，只用仅仅一个时钟周期，CPU能够以突发模式读数据(采用52ns BEDO和66MHz总线)，这种方式下指令的传送速度