请问太阳能电池片的硅片电阻率对开路电压短路电流有什么影响?

太阳电池的短路电流密度由光子流密度和光谱响应、太阳电池表面的反射率决定.基区掺杂浓度减小，增大了基区的少子寿命或扩散长度，使载流子的损失减少，因此增大了长波光谱响应。随着基区电阻率的增大，势垒区宽度变宽，使原来属于基区的每一范围转变成势垒区，从而提高了势垒区的光谱响应，但势垒区对太阳电池的光谱响应始终占不了绝对优势。另外，基区掺杂浓度对短波光谱响应几乎没有影响，这是因为高能光子的吸收系数比较大，投射到基区的高能光子已经十分微弱。所以高电阻率的硅片对太阳电池短路电流的贡献主要表现在长波光谱响应上。图1表示硅太阳电池基区电阻率对光谱响应的影响[2]。电池基区的少子寿命由于存在俄歇复合中心，少子寿命依赖于掺杂浓度NA，在基区电阻率小于0.1Ω-cm中，随着掺杂浓度的增加，基区中少子寿命迅速下降，引起光谱响应急剧衰减。