关于电容放电问题

来源：百度知道 编辑：UC知道 时间：2024/05/16 23:42:17
高手们:现在在实验中遇到一个问题想向大家求助下.
大家都知道,电容放电是一非线性曲线,电流从0开始增加到最大,然后减小到0.假设是在10ms达到100A,100ms电流达到最大值1000A.那么我现在想把10ms以前的电流去掉不用,而只用从10ms以后的那段曲线(就是想用它起始电流大,变化迅速这一点).请问有什么办法吗??我自己有个想法用可控硅的导通角来做.比如把可控硅跟负载接一起,然后一起与一个电阻并起来.把这个整体接到电容上.放电的时候,通过某个方法使可控硅在流入它的电流或者电压达到我要求值时导通,那么起始时刻流到我有用负载的电流就有100A或更大.不知道这个方法可行吗?如果可行,那么用什么来触发可控硅呢?
特别说明:我的时间要求很精确!
大家不要受我思路左右,可以完全自由发挥.现在再次说清楚点.我现在是电容向一空心线圈放电,放电电流可以用二阶电路(RLC)来计算.是一个时间的函数,有一个渐增渐减的过程.现在想去掉0-100A这段电流.用100A以后的.如果可控硅不行大家换下别的思路.

你的想法不现实。
在C对RLC放电回路里，电流的增长，是按它的表达式(略)增长，没有前一段，就没有后一段，前一段后一段是完整的，统一的过程，说的形象点，比如开汽车，从初速为0，加速到100公里/小时，你不可能不要0至50公里/小时这一段，没有这个加速过程，就没有50公里/小时以上的速度。
你应换个思路，你想得到极大的电流上升率，只有两个途径，1.减小R和L，2.加大U，即提高C的充电电压。最后，还要采用电流上升率极大的电子开关元器件。

你就加个很小的取样电阻，难后用运放来检测取样信号的大小，超过设定值，运放输出高电平使可控硅导通。

不过有点矛盾，你要“使可控硅在流入它的电流或者电压达到我要求值时导通”

可控硅要有电流流过，它就要导通，都已经导通了那怎么能重复导通呢？应当是流过负载的电流吧？

充满电的电容开始放电的电流是电场的的建立速度，也就是光速。不可能渐增（负载有感抗时例外）。但减小是按指数规律递减的。所你的命题不成立。
还有什么问题，我们共同讨论。

即使你的负载短路也没这么大的电流!
电容器也不可能存这么多电量.

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