微电子工艺中阻挡金属具有的特征

阻挡层金属的特性：
1.有很好的阻挡扩散性，结果分界面两边的材料（如钨和硅）的扩散率在烧结温度时很低（烧结温度参考通过加热方式结合这两种材料的温度）。
2.高电导率具有很低的欧姆接触电阻。
3.在半导体和金属之间有很好的附着。
4.抗电迁徙。
5.在很薄并且高温下具有很好的稳定性。
6.抗侵蚀和氧化。
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参考《半导体制造技术》P.284