场效应管中，有些电路栅极处的电容起到什么作用？？

举例说明：
极间电容： Power MOSFET的3个极之间分别存在极间电容CGS，CGD，CDS。通常生产厂家提供的是漏源极断路时的输入电容CiSS、共源极输出电容CoSS、反向转移电容CrSS。CiSS = CGS+CGD=4850pF, CoSS= CGD+CDS =855pF，CrSS = CGD =222pF

Power MOSFET 的开通过程：由于Power MOSFET 有输入电容，因此当脉冲电压上升沿到来时，输入电容有一个充电过程，栅极电压Ugs按指数曲线上升。当Ugs上升到开启电压Ut时，开始形成导电沟道并出现漏极电流Id。从up前沿时刻到Ugs=UT，且开始出现Id的时刻，这段时间称为开通延时时间td(on)。此后，Id随Ugs的上升而上升，Ugs从开启电压Ut上升到Power MOSFET临近饱和区的栅极电压Ugsp这段时间，称为上升时间tr。这样Power MOSFET的开通时间
ton=td(on)+tr =45ns+75ns=120ns (根据datasheet)
Power MOSFET的关断过程：当up信号电压下降到0时，栅极输入电容上储存的电荷通过连在MOS上的二极管放电到地，使栅极电压按指数曲线下降，当下降到Ugsp 继续下降，Id才开始减小，这段时间称为关断延时时间td(off)。此后，输入电容继续放电，Ugs继续下降，Id也继续下降，到Ugs< SPAN>T时导电沟道消失，Id=0，这段时间称为下降时间tf。这样Power MOSFET 的关断时间

过滤高频信号，减少干扰，提高可靠性。