一道电子方面的问题

来源：百度知道编辑：UC知道时间：2024/06/24 11:05:00

见问题补充。
欲设计一个硅p+n二极管，要求耐压为1000V，试估算N型区的最小宽度和最高掺杂浓度。假设一定范围内硅的临界击穿电场随掺杂浓度变化很小，近似认为是2.5E5V/cm。

2cm

近似是2cm

一定范围内硅的临界击穿电场随掺杂浓度变化很小，即看做定值。
耐压为1000V，ev即为电子伏特，一电子伏特=- 1.6 * 10^(-19)。
1000V/1.6 * 10^(-19)*2.5个电子=？m
2.5E5V是不是写错了？