UC知道DDR800和DDR667的问题,高分求助啦
来源：百度知道 编辑：UC知道 时间：2024/05/18 11:28:38
昂达RC410T，威刚512DDR2,667,SYD346的CPU，三星80的硬盘
最近买了条1G,DDR800的三星金条，插上后只显示1G的金条，不管512的在不在，但是512的单独也能使用，过几天后，拔下512的不想用了，觉得反正是显示1G，结果。。现在光1G的就报警。。
是不是内存时序问题啊？求助啊，最近大魔兽争霸都不是很流畅，想加个昂达2600PRO的二手显卡，大家看看什么意见，答的好的在追加50！
插槽都没问题的，我试过，我看网上有说是通过BIOS调的，各位继续帮看看哦
还有就是我都说了我插上那条800的能显示了，下边几个说不支持800的眼睛呢
bios里有个内存时序就是CAS/tRCD/tRP/tRAS/CMD的值。
你把这些都设的低一些不同型号的内存这些时序都是不一样的，可能你原来的512设置的太高了，导致1G的不能正常工作
2600pro玩魔兽一点问题也没有
附个内存参数规格，希望对你有用处
内存参数规格：
内存的时序参数一般简写为2/2/2/6-11/1T的格式，分别代表CAS/tRCD/tRP/tRAS/CMD的值。 2/2/2/6-11/1T中最后两个时序参数，也就是tRAS和CMD(Command缩写)，是其中较复杂的时序参数。目前市场上对这两个参数的认识有一些错误，因为部分内存厂商直接用它们来代表内存性能。
CMD Rate祥解：
Command Rate译为"首命令延迟",这个参数的含义是片选后多少时间可以发出具体的寻址的行激活命令，单位是时钟周期。片选是指对行物理Bank的选择（通过DIMM上CS片选信号进行）。如果系统指使用一条单面内存，那就不存在片选的问题了，因为此时只有一个物理Bank。
用更通俗的说法，CMD Rate是一种芯片组意义上的延迟，它并不全由内存决定，是由芯片组把虚拟地址解释为物理地址。不难估计，高密度大容量的系统内存的物理地址范围更大，其CMD延迟肯定比只有单条内存的系统大，即使是双面单条。
Intel对CMD这个问题就非常敏感，因此部分芯片组的内存通道被限制到四个Bank。这样就可以比较放心地把CMD Rate限定在1T，而不理用户最多能安装多少容量的内存。
宣扬CMD Rate可以设为1T实际上多少也算是一种误导性广告，因为所有的无缓冲（unbuffered）内存都应具有1T的CMD Rate，最多支持四个Bank每条内存通道，当然也不排除芯片组的局限性。
tRAS：
tRAS在内存规范的解释是Active to Precharge Delay，行有效至行预充电时间。是指从收到一个请求后到初始化RAS（行地址选通脉冲）真正开始接受数据的间隔时间。这个参数看上去似乎很重要，其实不然。内存访问是一个动态的过程，有时内存非常繁忙，但也有相对空闲的时候