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来源：百度知道 编辑：UC知道 时间：2024/05/25 00:36:12
The bipolar junction transistor (BJT) was the first active semiconductor device manufactured;therefore, it became the workhorse of the semiconductor industry. When the field effecttransistor (FET) manufacturing process was perfected, it began competing with the BJT. Sincethen, the FET has been taking sockets from the BJT, but there are many applications, such ashigh frequency amplifiers, where the BJT still excels. Also, the BJT manufacturing process canbe simple and inexpensive, and this, coupled with the BJT’s long list of capturedsockets,insures that the BJT will be around for a long time.
BJT transistors are made from a silicon bar that has three areas that are doped differently toproduce the transistor. Doping means that the base semiconductor material has charged atomsadded to change its polarity. These three areas are called the base, emitter, and collector. Theemitter and collector are doped to have the same polarity which can be positive o
双极接合器电晶体
有两极的接合器电晶体 (BJT) 是活跃的半导体设备制造的第一个；因此，它变成半导体业的用于工作之马。 当栏位 effecttransistor(FET) 制造业程序被完美的时候,它开始以 BJT 竞争。 Sincethen,FET 已经轮流来自 BJT 的插座, 但是有许多应用程序，如此的 ashigh 频率放大器,在 BJT 仍然胜过的地方。 同时, BJT 制造程序 canbe 简单的和廉宜的, 和这,以 BJT's 的 capturedsockets 的长列表加倍, 确定 BJT 将会是在有很长的一段时间周围。
BJT 电晶体是利用一个矽做成的有三个不同地被掺杂剂 toproduce 电晶体的区域巴。 搀杂意谓基本的半导体材料已经收费 atomsadded 改变它的极性。 这三个区域叫做基础，射极和集极。 Theemitter 和集极被掺杂剂有可能是积极的或否定的相同极性, andthe 基础被掺杂剂有相反的极性。 BJT,像大多数的电晶体,受到在被称为 NPN 或 PNP 的 twotypes 中的影响。 P 代表正,N 代表否定，而且积极的 ornegative 区域在 BJT 的 thebase ，集极和射极区域上面得到来自半导体材料的搀杂他们的名字成功的因素。 一个 NPN电晶体有肯定地掺杂剂的基本 anda 否定地掺杂剂了集极和射极。
一个 NPN电晶体看起来像和被一起连接的阳极二个二极体一样。 (见到图 1) 阳极连接的 Thepoint 被称为基础,一个阴极叫做集极，而且另一个阴极叫做射极。虽然这一个例证不与不连续的二极体合作 , 但是 BJT 的 itis 事实因为当基本的接合器的宽度被减少充足的时候,紧接的二极体作为一个电晶体。 使用紧接的二极体模型 , 电晶体 arecommonly 为短路和开启和一个欧姆计的电路检查。 基础- 射极的 andbase-当当否定的欧姆计被连接到射极 orcollector 的时候 , 积极的 ohmmeterlead 对基础被连接的时候， BJT 的集极接面表现相似的前向偏压二极体。 当引线连接被颠倒的时候资讯科技看起来像相反一样使存偏见了二极体。
双结晶体管
双极结晶体管(BJT)是第一个活跃的半导体器件制造;因