用IGBT做开关时,开关时间跟负载电流大小有关吗?

来源:百度知道 编辑:UC知道 时间:2024/06/05 19:55:50
比如我用IGBT做电路开关,使用同样的栅极电阻和驱动电路。
那么用它让一个正常工作电流只有1A的外部电路关断的关断时间
和让一个电流达100A的外部电路完全关断的关断时间,
这俩时间会有很大差别吗?

还是说完全取决于驱动部分对栅极G的控制,跟CE两端电压电流没多大关系?

谢谢!

如果在这两种电流下IGBT都能工作,关断时间有区别。
当关断信号发出时,由于电路中不能避免的电感作用,电流不会立即降为0,需等到堆集在CE两极的载流子渐渐消失,才能彻底关断。电流越大,流过的载流子就越多,堆集的也就越多,自然关断时间就越长。
虽然有区别,但像IGBT这样的电力电子器件,差别也就是几十至一两百毫秒之间。就是不知这个时间对你而言是长是短。

用IGBT做开关时,开关时间跟负载电流大小没有关系。
IGBT无法控制电流的大小,IGBT只是一个开关器件,当接于电路中时,用于控制电路的通断时间。IGBT和电感配合在一起实现对电流的控制。

以电压源为例,只考虑主电路,电压源、IGBT、电感、负载串联,当IGBT关断时,电源与电感断开,由电感向负载供电,电感中电流不能突变,但是会下降。当IGBT开通时,电源与电感接通,电源向电感和负载供电,电感中电流也不能突变,但是会上升。电感中电流上降和上升的多少,由IGBT关断和开通的时间来确定,也说是IGBT开通和关断的规律决定着电感中电流的变化规律,也说实现了对电流的控制。

IGBT是相当于MOSFET和GTR的连接体,他的开通和关断类似于MOSFET。MOSFET是单极性开关,而GTR是双极性的开关,所以IGBT的关断稍有不同。
当栅极电压开始下降时,其两端电压和流过的电流不变,当栅极电压下降到死区电压以下后,IGBT两端的电压开始上升,其中流过的电流开始下降。这个下降的时间是和电流的大小有关系的,电流越大,时间越长。但是IGBT有最大的可关断电流极限,当电流超过某一值,IGBT不再能关断,而发生擎住效应,此时IGBT失控,门极不再起作用,这是IGBT特有的现象。

这要看你驱动的负载是不是感性元件了,如果不是,那只与G有关,如果是的话,那得经过计算,因为感性元件是有感生电动势的,电流越大,感生电动势越强,如果是100A的负载,感生电动势会达到几千伏,必须加入吸收电路,这跟IGBT的特性关系不大

后者正确