UC知道关于旁路电容和耦合电容
来源：百度知道 编辑：UC知道 时间：2024/06/25 18:32:51
最近对耦合电容和去耦电容有疑问，上网搜了一下，资料如下：
去耦电容在集成电路电源和地之间的有两个作用：一方面是本集成电路的蓄能电容，另一方面旁路掉该器件的高频噪声。数字电路中典型的去耦电容值是0.1μF。这个电容的分布电感的典型值是5μH。0.1μF的去耦电容有5μH的分布电感，它的并行共振频率大约在7MHz左右，也就是说，对于10MHz以下的噪声有较好的去耦效果，对40MHz以上的噪声几乎不起作用。1μF、10μF的电容，并行共振频率在20MHz以上，去除高频噪声的效果要好一些。每10片左右集成电路要加一片充放电电容，或1个蓄能电容，可选10μF左右。最好不用电解电容，电解电容是两层薄膜卷起来的，这种卷起来的结构在高频时表现为电感。要使用钽电容或聚碳酸酯电容。去耦电容的选用并不严格，可按C=1/F，即10MHz取0.1μF，100MHz取0.01μF。
我想问下，一、文中去耦电容的作用是滤除xMHZ以下的噪声还是以上的，如果是以下的话它是否起到信号低通到地的作用？；二、文中说到的1uF以及10uF滤除20MHZ噪声是滤除20MHZ以上还是以下？；三、文中还提到根据C=1/F选用耦合电容，10MHz选用0.1uF,100MHz选用0.01uF，好想和20MHz选用1uF以及10uF有矛盾，这是为什么？。。
鄙人菜鸟。。。。，亟待各位大虾救援啊·~~
去耦电容在集成电路电源和地之间的有两个作用：一方面是本集成电路的蓄能电容，另一方面旁路掉该器件的高频噪声。数字电路中典型的去耦电容值是0.1μF。这个电容的分布电感的典型值是5μH。0.1μF的去耦电容有5μH的分布电感，它的并行共振频率大约在7MHz左右，也就是说，对于10MHz以下的噪声有较好的去耦效果，对40MHz以上的噪声几乎不起作用。1μF、10μF的电容，并行共振频率在20MHz以上，去除高频噪声的效果要好一些。每10片左右集成电路要加一片充放电电容，或1个蓄能电容，可选10μF左右。最好不用电解电容，电解电容是两层薄膜卷起来的，这种卷起来的结构在高频时表现为电感。要使用钽电容或聚碳酸酯电容。去耦电容的选用并不严格，可按C=1/F，即10MHz取0.1μF，100MHz取0.01μF。
我想问下，一、文中去耦电容的作用是滤除xMHZ以下的噪声还是以上的，如果是以下的话它是否起到信号低通到地的作用？；二、文中说到的1uF以及10uF滤除20MHZ噪声是滤除20MHZ以上还是以下？；三、文中还提到根据C=1/F选用耦合电容，10MHz选用0.1uF,100MHz选用0.01uF，好想和20MHz选用1uF以及10uF有矛盾，这是为什么？。。
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问题还真的多！！！
一、文中去耦电容的作用是滤除xMHZ以下的噪声还是以上的，如果是以下的话它是否起到信号低通到地的作用？
对低通的影响几呼没有
二、文中说到的1uF以及10uF滤除20MHZ噪声是滤除20MHZ以上还是以下？
是以下
三、文中还提到根据C=1/F选用耦合电容，10MHz选用0.1uF,100MHz选用0.01uF，好想和20MHz选用1uF以及10uF有矛盾，这是为什么？。。
10μF的作用是蓄能
第一个问题，我不同意楼上的。文中的意思是高频时电容有等效感抗，而且非常大。对于10m以上的超高频分量，电容是抗性的，不起作用。滤掉的应该是10MHz以下的高频噪声。不过它仍然是低通的，或者说是带阻的。
其它同意。
力敏电阻简介
力敏电阻是利用半导体材料的压力电阻效应(压力电阻效应指半导体材料的电阻率随机械应力的变化而变化的效应)制成的，是一种阻值随压力变化而变化的电阻，国外称为压电电阻器。力敏电阻主要用于各种张力计、转矩计、加速度计、半导体传声器及各种压力传感器中。
力敏电阻主要有硅力敏电阻、硒碲合金力敏电阻等，相对而言，合金电阻器灵敏度更高。
引自:E点城