三极管 饱和区

来源：百度知道 编辑：UC知道 时间：2024/05/09 14:32:24
最近学习三级管，一直没有弄懂其输出特性曲线中那个饱和区是什么意思，现在已经知道当发射结和集电结都正偏是三极管处于饱和状态？ 但是不知道为什么叫饱和状态？这个”饱和”是指什么东西”饱和”？而且为什么随着U（CE）的增大I（C）就急剧增加？因为在我的理解中既然集电结正偏，那从发射结扩散到基级的电子（我说的是NPN型三极管的共射解法）会受到阻力而不能大量涌到C极，那I（C）的最主要部分就没有了，同时I（CBO）应该是一点都没有的，就算U（CE）增大 但是还没有达到反偏时 电流怎么会急剧增加呢？ 还有就是说此时的I（C）小于I（B）乘上放大倍数，那到底少多少？是只少一点点还是少很多？为什么会少？
说明一下，引出我这个问题＜模拟电子技术基础（第三版）＞的第一章课后作业的1．16，因为我要靠I（C）计算C极的电位是否小于B极的电位而判断三极管是否处于饱和状态，但是如果是处于饱和状态 但是I（C）只比放大状态是少一点点的话 那C的电位将可能大于B的电位，那又不是饱和状态了！！

说了这么多，可能各位已经看烦了，还请哪位好人耐心的看完 然后耐心的给我解答一下，感激不尽！
呵呵，谢谢回答．主要是我觉得如果是工作在饱和区的话那Ic小于50*Ib了，如果小得太多的话（因为我看那个特性曲线Ic是从零急剧上升到Ib的放大倍数倍的）那Vc就可能依然大于Vb，这样就矛盾了．不过刚刚我自己总结出一个方法，就是先按公式
Vcc-(Vbb-X)/Rb*50=Vb(设放大倍数是50吧 实在不知道怎么打那个希腊字母）计算出饱和和放大的临界电压X，然后如果给定的Vbb小于X就是饱和了．看了你的答案，觉得最后应该是Vc和Vb（这里是0.7）比较而不是和Vbb(3)比较，因为Vbb是电阻左边的电位，我们需要的是三极管基级的电位，二者是不等的．不知道我想的对不对？ 如果是对了，那现在的问题就简化了，就是想知道在饱和区为什么Uce增加Ic就急剧增加，还有就是为什么要叫饱和区，”饱和”是指什么饱和？

饱和区就是说Uce<Ube 即Uce-Ube=Ucb<0的情况
比如拿作业1.16来说吧
Vbb=0, ibb=0,晶体管截止 uo＝12v
vbb＝1， ibb＝（1－0.7）v/5k=0.06mA Vc=Vcc-ic*Rc=12-50*0.06*1k=9v
晶体管在放大区
vbb＝3， ibb＝（3－0.7）v/5k=0.46mA vc=12-50*0.46*1k=-11v<vbb=3v
所以 晶体管是在饱和区
综上：要判断是不是在饱和区 首先按放大区计算方法来算vc
再看vc是否小于vbb 小的话就是饱和区
这是我自己总结的经验 不足或不对的地方请指教喔

这个问题也困扰了很久，课本里讲得根本不清楚，现在基本上查清楚了。可以这么理解：正如你理解的集电极正偏确实不利于从发射极过来的电子进入集电极，但是随着Vce的增大，
集电结正向偏置电压就会逐渐减小，也就是集电极正偏程度越来越低，基极P区吸引集电结N区的电子的能力逐渐减弱，从集电极到基极的电子减少，而你理解的“不利于”也会减弱，而由于集电极电位升高，对发射结N区的电子的收集能力提升，从发射极到集电极的电子增多，于是净流入集电结N区的电子逐渐增多，即随着Vce的增大，Ic逐渐增大。“饱和区”可以理解为集电极在饱和性地吸收电子，因为放大区里发射极的电子不够集电极吸收，也就是没有饱和性吸收电子。广大被模电折磨的学友们，应该明白了吧！fuck!fuck!fuck! 花了我那么长时间才弄明白，草