三极管饱和问题

来源：百度知道 编辑：UC知道 时间：2024/05/09 20:42:32
晶体管在临界饱和时，再加大IB ，UCE减小，UBC转为正偏 这时集电结拉载流子的能力减弱 ，是不是表示载流子通过集结的量越来越小，那使UCE减小的IC又是怎么增大的呢
谢谢小敏先生：晶体管在临界饱和到深度饱和这个过程 载流子是怎么流动的 因临界饱和时再加大IB IC不再增加 那UCE又怎么会再降呢？因为UCE的继续减小到深饱和要IC继续加大啊

因发射结正偏，大量电子从发射区注入到基区，形成电子电流InE。如基区很薄，大部分电子都能通过扩散到达集电结边界，并被集电极收集，形成集电极电子电流InC。由于通过基区的电子是非平衡载流子，因此在基区中，电子将一边扩散，一边和基区中的空穴复合，形成复合电流IvR=InE-InC。显然，复合电流是垂直于电子电流流动方向的多数载流子电流。同时，基区也向发射区注入空穴，形成发射结的反注入空穴电流IpE。这股空穴电流在发射区内边扩散边复合，经过扩散后基本复合消失，转换成电子电流。另外，在集电结处还有一股反向饱和电流ICB0。