微电子英文文章翻译5

来源：百度知道 编辑：UC知道 时间：2024/06/05 19:34:09
In order for a-Si:H films to be used as a front surface passivation in solar cells, the optical properties must be considered Significant photon absorption occurs in a-Si:H, causing reduced current generation in the underlying solar cell. Thus, the benefits of the a-Si:H/SiNx:H dual structure must be considered in conjunction with the loss of optical generation on the bulk of the solar cell. To investigate this, we performed simulations of the total reflection loss, absorption loss, and transmitted photon flux of the dual structure in the wavelength range 300-1150 nm, weighted towards the AMG1.5 incoming photon flux spectrum. The results of these simulations, where the thickness of the SiNx:H was kept constant at 80 nm show that the absorption loss is as high as 5% at an a-Si:H layer thickness of 10 nm, increasing to 9% for a thickness of 20 nm. Thus, for successful implementation of the proposed surface passivation structure on the from surface of solar cells, achieving good surface p

为了让a- Si ： H薄膜可以用来作为前线表面钝化，在太阳能电池，它的光学性质，必须考虑的重大光子吸收出现在思： h后，造成减少目前这一代在背后的太阳能电池。因此，带来的好处在A Si ： H的/氮化硅： H的二元结构，必须考虑与损失的光学一代对大部分的太阳能电池。以调查这起，我们进行模拟总反射损失，吸收损失，并转交光子通量的二元结构，在波长范围为300-1150 nm的，偏重于该amg1.5来袭光子通量谱。这些举措的结果模拟，而厚度的氮化硅： H的是保持恒定在80奈米表明，该吸收损失可能高达5 ％的A Si ： H的层厚度为10 nm ，增加9 ％ ，为厚度为20 nm 。因此，为成功实施该建议的表面钝化结构，就从表面的太阳能电池，取得了良好的表面钝化一个非常薄的a - Si ： H的层是至关重要的。
我们最近已取得了非常可喜的成果，由使用上述介绍的二元结构与更薄的a - Si ：每小时6厘米的P型（二掺）直拉硅晶片。通过qsspc测量结果，我们提取的表面复合速度（ srv ）低至7厘米/秒，在注资的水平1x1015厘米- 3层的厚度〜 50奈米，增加至25厘米/秒为一个〜 20 nm的厚度。这些价值观为srvs计算[ 1 ]小琳重组只能由库仑增强俄歇机制[ 5 ] 。相当于上估算的srv ，这些成果，鼓励进一步开展工作，对表面钝化，由二元结构作为陈述此处。
4结论
我们已经发现，一种组合结构构成的A Si ： H薄膜上限由氮化硅： H是能提供优良的表面钝化硅。此外，我们已观察到这种结构具有温度稳定性优于一- Si ： H的单，甚至泄露增加有效寿命经退火高达500 ℃ 。结果，是靠一种释放的H对衬底，可能导致一个钝化的Si悬挂债券在分界面区域。