有关三极管的问题

在制造三极管时，有意识地使发射区的多数载流子浓度大于基区的，同时基区做得很薄，而且，要严格控制杂质含量，这样，一旦接通电源后，由于发射结正确，发射区的多数载流子（电子）及基区的多数载流子（控穴）很容易地截越过发射结构互相向反方各扩散，但因前者的浓度基大于后者，所以通过发射结的电流基本上是电子流，这股电子流称为发射极电流Ie。由于基区很薄,加上集电结的反偏，注入基区的电子大部分越过集电结进入集电区而形成集电集电流Ic，只剩下很少（1-10%）的电子在基区的空穴进行复合，被复合掉的基区空穴由基极电源Eb重新补纪念给，从而形成了基极电流Ibo根据电流连续性原理得： Ie=Ib+Ic 这就是说，在基极补充一个很小的Ib，就可以在集电极上得到一个较大的Ic，这就是所谓电流放大作用，Ic与Ib是维持一定的比例关系，即： β1=Ic/Ib 式中：β--称为直流放大倍数， 集电极电流的变化量△Ic与基极电流的变化量△Ib之比为： β= △Ic/△Ib 式中β--称为交流电流放大倍数，由于低频时β1和β的数值相差不大，所以有时为了方便起见，对两者不作严格区分，β值约为几十至一百多。三极管是一种电流放大器件，但在实际使用中常常利用三极管的电流放大作用，通过电阻转变为电压放大作用。

首先应该清楚二极管的原理, 反向加上电压时PN结会形成一个电场阻止电流通过, 并且电场的强度刚好能平衡外加的电压(换句话说, 假如PN结电场不足, 就会有电流通过)(对了, 还需平衡载流子的自由扩散).

再看三极管, 基极不加电流时, b-e的PN结电场阻止电流通过; 基极加电流时(b->e), 削弱了PN结的电场, 于是有部分载流子通过基区, 到集电极.

基极电流的作用是削弱电场, 而削弱一定程度的电场会有多少载流子通过是三极管是结构的事, 所以, 为了有较大电流放大系数, 基区都做得很薄, 让冲过来的载流子很容易进入集电极.

基级电流只是用来形成三极管中电流通路的,这个电流越大,形成的通路就越大,电流就更容易通过

三极管在放大状态时
集电极电流Ic和基电极电流Ib的关系是
Ic=BIb
其中B是相当大的，好几十或好几百
所以基极电流很小的变化，会引起集电极电流很大的变化